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探針測試行業(yè)發(fā)展趨勢(1)設(shè)備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導(dǎo)體器件主要通過提高集成度的方式實(shí)現(xiàn)更多功能或更快響應(yīng)。為此,半導(dǎo)體制造過程一般會(huì)縮小器件特征尺寸,如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級(jí)別縮小至納米級(jí)別,最小已達(dá)3納米;在光電芯片中,最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外,為避免器件集成度提高后單位制造成本過度上漲,業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓,通過在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本,目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸,逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
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